Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8032-GA
DIODE SCHOTTKY 650V 2.5A TO257
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-257-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8032
1N8032-GA Hakkında
1N8032-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide Schottky doğrultucu diyottur. 650V ters voltaj ve 2.5A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. Sıfır reverse recovery time (trr) ile ultra hızlı anahtarlama özelliği sunarak düşük kayıp uygulamalar için uygundur. TO-257-3 Through Hole paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme, invertör devreleri, PFC uygulamaları ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 250°C arasında çalışabilir. 1.3V forward voltage @2.5A ile verimli doğrultma performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 274pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 2.5A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3 V @ 2.5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok