Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8031-GA
DIODE SCHOTTKY 650V 1A TO276
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-276AA
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8031
1N8031-GA Hakkında
1N8031-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultma akımı kapasitesi ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-276AA paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, anahtarlama devreleri, serbest tekerlek diyotu uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak tercih edilir. 1.5V maksimum forward voltage değeri ile enerji kayıplarını azaltır. -55°C ile 250°C arasında çalışır ve sıfır recovery time özelliği sayesinde EMI azalması sağlar. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-276AA |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-276 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok