Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8030-GA
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-257-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8030
1N8030-GA Hakkında
1N8030-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) Schottky diyottur. 650V ters voltaj ve 750mA ortalama doğrultulu akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-257-3 paketinde sunulan bu diyot, sıfır ters kurtarma süresi (trr) özelliğine sahiptir ve bu da anahtarlanma kayıplarını minimize eder. -55°C ile 250°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen komponent, güç kaynağı, inverter, motor kontrol ve yenilenebilir enerji uygulamalarında tercih edilir. 1.39V maksimum ön voltaj değeriyle verimli doğrultma sağlar. Ancak ürün obsolete statüsünde olduğu için yerine alternatif ürünlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 76pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 750mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 650 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.39 V @ 750 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok