Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8028-GA
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 9.4A TO257
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-257-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8028
1N8028-GA Hakkında
1N8028-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 9.4A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-257-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında hızlı anahtarlama ve düşük ileri voltaj düşüşü sağlar. Reverse recovery time'ı 0 ns olan bu diyot, 500mA üstündeki akımlarda geri kazanım süresi göstermez. -55°C ile 250°C arasında çalışabilen 1N8028-GA, inverter, PFC devreleri, AC/DC adaptörleri ve yüksek sıcaklık endüstriyel uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 1.6V @ 10A ileri voltaj düşüşü ile enerjisini verimli dönüştürür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 884pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 9.4A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 10 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok