Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8026-GA
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-257-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8026
1N8026-GA Hakkında
1N8026-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 8A kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-257-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj doğrultucu uygulamalarında kullanılır. Maksimum ileriye doğru gerilim düşüşü 1.6V @ 2.5A'dir. Reverse recovery time 0ns olup, hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile 250°C arasında çalışabilir. 10µA @ 1200V'de reverse leakage akımı ile karakterize edilmiştir. Through-hole montajı için uygun olup, güç kaynakları, invertörler ve yüksek frekanslı doğrultma devrelerinde tercih edilir. Sıcaklık ve voltaj dayanıklılığı nedeniyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında yaygındır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 2.5 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok