Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N8024-GA
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 750MA TO257
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-257-3
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N8024
1N8024-GA Hakkında
1N8024-GA, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 1200V 750mA kapasiteli Silicon Carbide Schottky diyottur. TO-257-3 paket türünde sunulan bu doğrultucu diyot, yüksek voltaj uygulamalarında ve güç elektroniklerinde kullanılır. 1.74V maximum ileri gerilim düşümü ve 0 ns reverse recovery time özellikleri sayesinde anahtarlama hızı gerektiren devrelerde verimli çalışır. -55°C ile 250°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan komponent, DC güç kaynakları, enerji dönüştürücüleri ve yüksek frekans anahtarlama devrelerinde uygulanır. Through hole montaj tipi ile PCB üzerine sabitlenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 66pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 750mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 1200 V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 250°C |
| Package / Case | TO-257-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Supplier Device Package | TO-257 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.74 V @ 750 mA |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok