Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N6630US
DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6630
1N6630US Hakkında
1N6630US, Microchip Technology tarafından üretilen 900V, 1.4A kapasiteli fast recovery diyottur. E-MELF paket tipinde tasarlanmış bu doğrultucu diyot, 50 ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özelliği sunar. Surface mount montaj türü ile PCB üzerine direkt entegre edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 1.7V forward voltage ve 4µA reverse leakage karakteristiği ile güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, switching power supplies ve yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. Fast recovery kategorisinde 500ns altında hızlı recovery süresi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 1.4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 4 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Package / Case | E-MELF |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-5B |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 900 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok