Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

1N6629US

DIODE GEN PURP 880V 1.4A A-MELF

Paket/Kılıf
SQ-MELF
Seri / Aile Numarası
1N6629US

1N6629US Hakkında

1N6629US, Microchip Technology tarafından üretilen standart hızlı iyileştirme diyotudur. 880V reverse voltage kapasitesi ile yüksek voltajlı uygulamalarda kullanılan bu bileşen, 1.4A ortalama doğrultulmuş akım ile çalışmaktadır. 50ns reverse recovery time ve fast recovery karakteristiği sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli performans sunar. Surface mount A-MELF paketinde sunulan diyot, -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, şarj devreleri, inverter ve UPS gibi yüksek voltajlı doğrultma uygulamalarında tercih edilen bir komponenttir. 2µA @ 880V reverse leakage current özelliği ile sızıntı akımı oldukça düşüktür.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 40pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 1.4A
Current - Reverse Leakage @ Vr 2 µA @ 880 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Package / Case SQ-MELF, A
Part Status Market
Reverse Recovery Time (trr) 50 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package A-MELF
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 880 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.4 V @ 1.4 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok