Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N6625US
DIODE GEN PURP 1.1KV 1A A-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6625
1N6625US Hakkında
1N6625US, Microchip Technology tarafından üretilen standart recovery diyotdur. 1100V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım yeteneğine sahip olan bu bileşen, surface mount A-MELF paketinde sunulmaktadır. 60ns reverse recovery time ve hızlı kurtarma karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu diyot, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler ve diğer doğrultme devreleri için uygun bir seçenektir. 1.75V maksimum forward voltaj ve 1µA ters sızıntı akımı özellikleri ile verimli tasarımlar sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 1100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Package / Case | SQ-MELF, A |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 60 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | A-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok