Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N6622US
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6622
1N6622US Hakkında
1N6622US, Microchip Technology tarafından üretilen standart hızlı iyileştirme diyotudur. 660V ters voltaj ve 1.2A ortalama doğrultma akımı kapasitesine sahiptir. A-MELF yüzey monte paketinde sunulan bu diyot, 30ns hızlı reverse recovery time ile karakterizedir. -65°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 1.4V ileri voltaj düşüşü ve 500nA ters sızıntı akımı özellikleri sayesinde güç kaynakları, kontrol devreleri ve AC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Hızlı anahtarlama karakteristiği, switching power supplies ve inverter devrelerinde verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1.2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 660 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 150°C |
| Package / Case | SQ-MELF, A |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | A-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 660 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 1.2 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok