Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N6483HE3/97
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-213AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6483
1N6483HE3/97 Hakkında
1N6483HE3/97, Vishay tarafından üretilen 800V 1A kapasiteli genel amaçlı doğrultma diyotudur. DO-213AB (MELF) cam kılıf paketinde sunulan bu diyot, 1.1V forward voltage'a sahiptir ve -65°C ile 175°C arasında çalışabilir. Standard recovery hızına (>500ns) ve düşük reverse leakage akımına (10µA @ 800V) sahip olan bileşen, güç kaynakları, AC/DC konverterler ve genel doğrultma uygulamalarında kullanılır. Surface mount teknolojisine uyumlu olması, compact PCB tasarımlarında tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-213AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok