Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N6483HE3/96
DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-213AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6483
1N6483HE3/96 Hakkında
1N6483HE3/96, Vishay tarafından üretilen genel amaçlı silikon doğrultucu diyottur. 800V ters voltaj dayanımı ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, invertörler, AC/DC konverterler ve doğrultma devrelerinde kullanılır. Surface mount DO-213AB (MELF) paketinde sunulan bu diyot, standart hızlı iyileştirme karakteristiğine sahiptir. 1.1V ileri voltaj düşümü ve 10µA ters sızıntı akımı ile verimli doğrultma performansı sağlar. Geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-65°C ~ 175°C) endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-213AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok