Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N6479HE3/96
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- DO-213AB
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6479
1N6479HE3/96 Hakkında
1N6479HE3/96, Vishay tarafından üretilen 100V 1A kapasiteli general purpose doğrultucu diyottur. Surface mount DO-213AB MELF paketinde sunulan bu bileşen, 1.1V maksimum forward voltaj ve 10µA reverse leakage akımı özelliklerine sahiptir. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Standard recovery hızı (>500ns) ile tasarlanan bu diyot, genel amaçlı doğrultma uygulamalarında, güç kaynakları, inverter devreleri ve AC/DC konversiyon sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 8pF kapasitans değeri ile RF uygulamalarında da tercih edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-213AB, MELF (Glass) |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-213AB |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok