Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N6081US
DIODE GEN PURP 150V 2A G-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6081US
1N6081US Hakkında
1N6081US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 150V ters voltaj ve 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. Surface Mount G-MELF (SQ-MELF) paketi içinde sunulan bu komponent, -65°C ile 155°C arasında çalışabilir. 30 ns ters kurtarma süresi (trr) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 10 µA @ 150V ters kaçak akımı ve 1.5V @ 37.7A ileriye doğru voltaj değerleri standart doğrultucu uygulamalarında kullanıma uygundur. AC/DC güç kaynakları, şarj devreleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 150 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 155°C |
| Package / Case | SQ-MELF, G |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | G-MELF (D-5C) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 150 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 37.7 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok