Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N6080US
DIODE GEN PURP 100V 2A G-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N6080
1N6080US Hakkında
1N6080US, Microchip Technology tarafından üretilen standart hızlı toparlanmalı doğrultma diyotudur. 100V ters gerilim ve 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. G-MELF yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, -65°C ile 155°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 30ns reverse recovery time ve 500ns'den kısa toparlanma hızı ile AC/DC güç kaynakları, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS), motor kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. Forward gerilim düşüşü 37.7A'de maksimum 1.5V'tur. Yüksek frekans uygulamaları ve hızlı anahtarlama gerektiren devrelere uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 2A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 155°C |
| Package / Case | SQ-MELF, G |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | G-MELF (D-5C) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 37.7 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok