Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

1N6079US

DIODE GEN PURP 50V 2A G-MELF

Paket/Kılıf
SQ-MELF
Seri / Aile Numarası
1N6079

1N6079US Hakkında

1N6079US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyottur. 50V ters voltaj (Vr) ve 2A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile tasarlanmıştır. G-MELF (SQ-MELF) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 30ns reverse recovery time ve <= 500ns hız sınıfı özellikleri ile anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +155°C arasında güvenli çalışma yapabilen bu diyot, güç kaynakları, invertörler, switching regülatörler ve diğer doğrultma devrelerinde kullanılır. 1.5V maksimum forward voltaj ile düşük enerji kaybı sağlar ve 10µA @ 50V ters kaçak akımı ile yüksek geri durdurma özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Average Rectified (Io) 2A
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 µA @ 50 V
Diode Type Standard
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 155°C
Package / Case SQ-MELF, G
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package G-MELF (D-5C)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 37.7 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok