Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5830R
DIODE SCHOTTKY REV 25V DO4
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5830R
1N5830R Hakkında
1N5830R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Schottky ters kutuplama diyotudur. 25V ters voltaj ve 25A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında doğrultma görevini yerine getirir. DO-203AA (DO-4) stud mount kasa içinde sunulan bu bileşen, 580 mV maksimum ileri voltaj düşümü ve 2 mA @ 20V ters sızıntı akımı özellikleri taşır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Fast recovery karakteristiği (≤ 500ns) sayesinde anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, invertörler ve konverter devreleri gibi yüksek frekans doğrultma gereksinimi olan sistemlerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 mA @ 20 V |
| Diode Type | Schottky, Reverse Polarity |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-4 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 25 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 25 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok