Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5830
DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5830
1N5830 Hakkında
1N5830, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen Schottky doğrultma diyotudur. 25V ters gerilim ve 25A ortalama doğrultma akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. DO-203AA (DO-4) stud mount paketinde sunulan bu bileşen, hızlı iyileşme özellikleri (≤500ns) ve düşük forward voltage (580mV @ 25A) sayesinde güç kaynağı uygulamalarında, invertör devrelerinde ve yüksek akım doğrultma işlemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Şasi montajı için tasarlanmış, 2mA @ 20V ters sızıntı akımı özelliği bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 2 mA @ 20 V |
| Diode Type | Schottky |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-4 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 25 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580 mV @ 25 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok