Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5809US
DIODE GEN PURP 100V 3A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5809
1N5809US Hakkında
1N5809US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. Surface mount B-MELF paket tipinde sunulan bu bileşen, 100V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 30ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 875mV forward voltaj düşüşü ile verimli enerji dönüştürme sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlamalı güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve doğrultma devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok