Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

1N5809/TR

UFR,FRR

Paket/Kılıf
SQ-MELF
Seri / Aile Numarası
1N5809

1N5809/TR Hakkında

1N5809/TR, Microchip Technology tarafından üretilen fast recovery diyottur. 100V ters gerilim ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu bileşen, 30ns çok hızlı reverse recovery time ile çalışır. Through-hole montajlı B tipi aksiyel paketinde sunulan diyot, anahtarlamalı güç kaynakları, AC/DC konverterleri ve yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. -65°C ile 175°C arasında güvenilir çalışma sağlar. 60pF kapasitans (10V, 1MHz) ve 5µA ters kaçak akımı (100V) ile özellikleri belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 60pF @ 10V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 3A
Current - Reverse Leakage @ Vr 5 µA @ 100 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 175°C
Package / Case B, Axial
Part Status Active
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package B, Axial
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 875 mV @ 4 A

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok