Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5809
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5809
1N5809 Hakkında
1N5809, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 100V ters voltaj ve 3A ortalama düzeltilmiş akım kapasitesine sahiptir. Axial Through Hole paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, konvertörler ve AC/DC doğrultma devrelerinde kullanılır. 30 ns'lik düşük geri kazanım süresi (reverse recovery time) ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. 875 mV maksimum ileri voltaj düşüşü ile 4A akımında çalıştırılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | B, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok