Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5807US
DIODE GEN PURP 50V 3A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5807
1N5807US Hakkında
1N5807US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı fast recovery diyotudur. 50V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultma akımı ile tasarlanan bu bileşen, güç kaynakları, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç toplamalarında kullanılır. 30 ns ters iyileştirme süresi ve 875 mV ön kapanış voltajı ile verimli anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. B-MELF yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uyum sağlar. -65°C ile 175°C arasında çalışan endüstriyel sınıf bileşen, tüm genel doğrultma ve freekwheel diyotu uygulamalarında kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Market |
| Reverse Recovery Time (trr) | 30 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 50 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875 mV @ 4 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok