Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

1N5711UR-1E3

SCHOTTKY BARRIER DIODE MELF SURF

Paket/Kılıf
DO-213AA (Glass)
Seri / Aile Numarası
1N5711

1N5711UR-1E3 Hakkında

1N5711UR-1E3, Microchip Technology tarafından üretilen bir Schottky Barrier diyotudur. Surface mount MELF (DO-213AA) paketinde sunulan bu diyot, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50V maksimum ters gerilim ve 33mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, DC/DC dönüştürücüler ve RF uygulamalarında yer alır. Düşük forward voltage düşüşü (1V @ 15mA) ve minimize edilmiş junction kapasitesi (2pF @ 0V) ile hızlı recovery karakteristiği sağlar. -65°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 200nA maksimum ters sızıntı akımı özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 33mA
Current - Reverse Leakage @ Vr 200 nA @ 50 V
Diode Type Schottky
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature - Junction -65°C ~ 150°C
Package / Case DO-213AA
Part Status Active
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Supplier Device Package DO-213AA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 15 mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok