Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5619US
DIODE GEN PURP 600V 1A D5A
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5619
1N5619US Hakkında
1N5619US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 600V ters gerilim ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu komponent, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, invertörler ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Surface mount D5A paketinde sunulan diyot, 250ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -65°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans gösterir. 1MHz'de 25pF kapasitans ve 600V'ta 500nA ters sızıntı akımı özellikleri ile yüksek frekans uygulamalarında da kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 12V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 600 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, A |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-5A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok