Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5553US
DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5553
1N5553US Hakkında
1N5553US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. Surface mount B-MELF paketinde sunulan bu komponent, 800V DC reverse gerilim ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahiptir. 2 µs reverse recovery time ile standart hız karakteristiklerine sahiptir. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. 1N5553US, güç kaynakları, AC-DC dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. 1 µA @ 800V ters kaçak akımı ile düşük akım kaybı sağlar ve 1.2V @ 9A ön gerilim değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | SQ-MELF, B |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 2 µs |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | B, SQ-MELF |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 9 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok