Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5416US
DIODE GEN PURP 100V 3A D5B
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- SQ-MELF
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5416
1N5416US Hakkında
1N5416US, Microchip Technology tarafından üretilen genel amaçlı hızlı iyileştirme diyotudur. 100V ters voltaj ve 3A ortalama doğrultulmuş akım ile tasarlanmıştır. E-MELF yüzey montaj paketinde sunulan bu diyot, 150ns reverse recovery time ile düşük anahtarlama kaybına sahiptir. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, şarj devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 1.5V maksimum forward voltajı ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 100 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | E-MELF |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 150 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | D-5B |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 9 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok