Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5408GHB0G
DIODE GEN PURP 3A DO201AD
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5408
1N5408GHB0G Hakkında
1N5408GHB0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, adaptörler ve AC-DC dönüştürücülerde kullanılır. DO-201AD axial paket ile through-hole montaj uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu diyot, 1V forward voltage ve 5µA reverse leakage akımı özellikleri ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok