Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N5407GHB0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N5407
1N5407GHB0G Hakkında
1N5407GHB0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultma diyotudur. 800V ters voltaj dayanımı ve 3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesi ile güç kaynakları, adaptörler ve indüktif yükler için uygun bir çözümdür. DO-201AD axial kılıflı pakette gelen bu diyot, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 1V forward voltaj düşüşü ve 5µA ters sızıntı akımı özellikleri ile verimli enerji dönüşümü sağlar. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir. Standard recovery karakteristiği ile logic ve kontrol devrelerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 25pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok