Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N4935G
DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N4935
1N4935G Hakkında
1N4935G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı hızlı recovery diyotudur. 200V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip bu komponent, güç kaynakları, konvertörler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. DO-41 through-hole paketinde sunulan diyot, 200ns reverse recovery time ile hızlı komütasyon özelliği gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 1.2V forward voltage düşüşü ile verimli doğrultma işlemi gerçekleştirir ve 5µA ters sızıntı akımı ile düşük arka plan akımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A (DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 200 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 200 ns |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok