Diyotlar - Doğrultucular - Tekil

1N4448,113

DIODE GEN PURP 100V 200MA ALF2

Paket/Kılıf
Axial
Seri / Aile Numarası
1N4448

1N4448,113 Hakkında

1N4448, NXP Semiconductors tarafından üretilen genel amaçlı silicon doğrultma diyodudur. 100V reverse voltaj ve 200mA ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip, small signal hızında çalışan bir komponenttir. 4ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. DO-35 axial paket içinde sunulan bu diyot, çıkışı doğrultma, akım sınırlama ve sinyal demodülasyonu gibi uygulamalarda kullanılır. 25nA reverse leakage akımı ve 1V forward voltaj (100mA'de) ile düşük kayıp işletme sağlar. Through hole montaj tipi ile PCB tasarımlarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile +200°C junction sıcaklık aralığında çalışabilir. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Capacitance @ Vr, F 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io) 200mA (DC)
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 nA @ 20 V
Diode Type Standard
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature - Junction 200°C (Max)
Package / Case DO-204AH, DO-35, Axial
Part Status Obsolete
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Supplier Device Package ALF2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1 V @ 100 mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok