Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N4006GHB0G
DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Axial
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N4006
1N4006GHB0G Hakkında
1N4006GHB0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen genel amaçlı doğrultucu diyottur. 800V ters voltaj ve 1A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, AC/DC güç kaynakları, adaptörler ve enerji dönüştürme devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. DO-204AL (DO-41) eksenel paketlemesiyle Through Hole montajına uygun olan diyot, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Forward voltajı maksimum 1V @ 1A olan bileşen, standart recovery süresine (>500ns) sahiptir ve 5µA @ 800V ters sızıntı akımı karakteristiğiyle elektrik tasarımlarında hesaplanabilir bir davranış gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok