Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N3649R
DO4 3.3 AMP SILICON RECTIFIER
- Üretici
- Solid State Inc.
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N3649
1N3649R Hakkında
1N3649R, Solid State Inc. tarafından üretilen DO-4 paketinde silicon rectifier diyotudur. 3.3A ortalama doğrultulmuş akım kapasitesine sahip olup, 800V DC ters gerilim dayanımına sahiptir. 1.1V forward gerilim düşüşü ile linearite sağlar. Standard recovery tipi diyot olarak tasarlanmış, stud mount montaj türüne uyumludur. -65°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel doğrultma uygulamaları, güç kaynakları ve elektrik devreleri gibi alanlarda kullanılır. 5µA'lık düşük reverse leakage akımı ile verimli operasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3.3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5 µA @ 800 V |
| Diode Type | Standard, Reverse Polarity |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 175°C |
| Package / Case | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-4 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 800 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok