Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
1N1189R
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
- Üretici
- GeneSiC Semiconductor
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- Diyotlar - Doğrultucular - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- 1N1189R
1N1189R Hakkında
1N1189R, GeneSiC Semiconductor tarafından üretilen 600V diyot, standart doğrultucu uygulamaları için tasarlanmıştır. 35A ortalama düzeltilmiş akım ile yüksek akım kapasitesine sahiptir. DO-203AB (DO-5) stud mount paketinde sunulan bu bileşen, 1.2V forward voltage @ 35A değerine sahiptir. -65°C ile 190°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 10µA @ 50V reverse leakage akımı ile düşük kaçak akımına sahiptir. Enerji dönüşüm sistemleri, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilen bir doğrultucu diyottur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 35A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 50 V |
| Diode Type | Standard, Reverse Polarity |
| Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
| Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
| Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Part Status | Active |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Supplier Device Package | DO-5 |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 600 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2 V @ 35 A |
Kaynaklar
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok