Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
10A015
RF TRANS NPN 24V 2.7GHZ 55FT
- Üretici
- Microchip Technology
- Paket/Kılıf
- 55FT
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 10A015
10A015 Hakkında
Microchip Technology tarafından üretilen 10A015, RF uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar junction transistörüdür. 2.7GHz transition frequency ile yüksek frekans çalışmaya uygun bu bileşen, 24V maksimum collector-emitter breakdown voltajında 750mA collector akımı sağlar. 9-9.5dB kazanç ve 6W maksimum güç derecelendirmesi ile RF amplifikatör, osilatör ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. Stud mount paketinde sunulan bileşen, 200°C junction sıcaklığında çalışabilir. Uygulamalar arasında RF sinyal işleme, güç amplifikasyonu ve yüksek frekans anahtarlama devreleri yer alır. Not: Bu ürün üretimden kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 750mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 2.7GHz |
| Gain | 9dB ~ 9.5dB |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature | 200°C (TJ) |
| Package / Case | 55FT |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 6W |
| Supplier Device Package | 55FT |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 24V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok